对华泄露芯片技术 前三星高管二审获刑6年
韩国前三星电子高管金某因涉嫌向中国企业泄露半导体核心技术，二审被法院判处有期徒刑6年、罚金2亿韩元。韩国首尔高等法院刑事审判第8庭 23日作出上述判决。检方认为，金某2016年从三星电子跳槽到中国企业长鑫存储后，向其泄露三星电子18纳米沉积工艺等七项关键技术资料，以供长鑫存储进行产品开发，并获得数百亿韩元的财物。金某还涉嫌从三星电子和其合作企业挖走20多名技术人才，要求对方为此支付至少税后五亿韩元。针对一同将三星电子承包公司的设计技术机密泄露至长鑫存储的方某，法院维持一审判决，判处其有期徒刑2年6个月。
—— 韩联社
韩国前三星电子高管金某因涉嫌向中国企业泄露半导体核心技术，二审被法院判处有期徒刑6年、罚金2亿韩元。韩国首尔高等法院刑事审判第8庭 23日作出上述判决。检方认为，金某2016年从三星电子跳槽到中国企业长鑫存储后，向其泄露三星电子18纳米沉积工艺等七项关键技术资料，以供长鑫存储进行产品开发，并获得数百亿韩元的财物。金某还涉嫌从三星电子和其合作企业挖走20多名技术人才，要求对方为此支付至少税后五亿韩元。针对一同将三星电子承包公司的设计技术机密泄露至长鑫存储的方某，法院维持一审判决，判处其有期徒刑2年6个月。
—— 韩联社