SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存
8月25日,SK海力士宣布,已开发出321层2Tb (太比特,Terabit ) QLC1 NAND闪存产品,并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。该公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层 NAND 闪存,随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储 (UFS) 产品。此外,公司也将基于堆叠32个NAND晶片的封装技术,实现比现有高出一倍的集成度,正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。
—— 界面新闻
8月25日,SK海力士宣布,已开发出321层2Tb (太比特,Terabit ) QLC1 NAND闪存产品,并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。该公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层 NAND 闪存,随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储 (UFS) 产品。此外,公司也将基于堆叠32个NAND晶片的封装技术,实现比现有高出一倍的集成度,正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。
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