涉嫌外泄芯片技术 三星前员工被韩检方起诉
据首尔中央地方检察厅信息技术犯罪侦查部23日通报，对五名三星电子前员工提起逮捕起诉，并对长鑫存储研发团队的五名员工提起不逮捕起诉。检方调查显示，长鑫存储成立后立即聘请三星电子前部长 A 某担任研发室长。为了获取三星独有的10纳米级DRAM工艺技术，A 某牵头招募各核心工序技术骨干。在此过程中，三星电子前研究员B 某将DRAM工艺核心技术PRP亲笔抄录后带离公司，随后跳槽至长鑫存储。长鑫存储在吸纳多名三星电子前员工后，正式启动DRAM研发。研发期间，还通过合作商额外获取了SK海力士的半导体工艺相关技术。长鑫存储最终于2023年实现10纳米级DRAM量产。
—— 韩联社
据首尔中央地方检察厅信息技术犯罪侦查部23日通报，对五名三星电子前员工提起逮捕起诉，并对长鑫存储研发团队的五名员工提起不逮捕起诉。检方调查显示，长鑫存储成立后立即聘请三星电子前部长 A 某担任研发室长。为了获取三星独有的10纳米级DRAM工艺技术，A 某牵头招募各核心工序技术骨干。在此过程中，三星电子前研究员B 某将DRAM工艺核心技术PRP亲笔抄录后带离公司，随后跳槽至长鑫存储。长鑫存储在吸纳多名三星电子前员工后，正式启动DRAM研发。研发期间，还通过合作商额外获取了SK海力士的半导体工艺相关技术。长鑫存储最终于2023年实现10纳米级DRAM量产。
—— 韩联社