美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元当地时间周一，美光科技宣布，位于新加坡现有 NAND 闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约 240亿美元，预计2028年下半年投产。这笔投资将创造约1600个就业岗位。该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约70万平方英尺的无尘室空间。此次投资聚焦 NAND 闪存领域，将有助于美光满足人工智能（AI）驱动的对 NAND 闪存不断增长的市场需求。这项新投资，预计也将巩固新加坡在先进 NAND 闪存制造领域的领导地位。
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财联社、
彭博社