技术突破

黄仁勋评价华为突破:台积电领先10年

黄仁勋评价华为突破:台积电领先10年 华为半导体25日正式发布韬 (τ) 定律,在不依赖光刻机设备下提升晶片效能与电晶体密度。华为预计到2031年,基于这个技术路线的高端晶片晶体管密度,将达到等同于 1.4 纳米制程的水平。英伟达CEO黄仁勋周四在台北告诉媒体,这对华为而言确实是一项突破,因为能在不将半导体制程线宽变得更细的情况下,把电晶体数量加倍,甚至增加三到四倍。但黄仁勋认为,这对台积电并不构成威胁。他指出,使用芯片堆叠和混合键合是非常好的技术,而台…

ASML发布EUV光源技术突破使产量提高50%

ASML发布EUV光源技术突破使产量提高50% ASML控股公司的研究人员表示,他们找到了一种方法,可以提升关键芯片制造设备中EUV光源的功率,从而在2030年末之前将芯片产量提高50%。ASML目前是全球唯一一家商用极紫外光刻(EUV)设备的制造商。“这是一个能够在满足客户所有相同要求的前提下产生 1000 瓦功率的系统”,相比现有系统接近翻倍。到本十年末,客户每台机器每小时应能处理约 330 片硅晶圆,高于目前的 220 片。周一披露的关键进展包括将…

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