中国闪存制造商长江存储将进军DRAM市场
据三位知情人士透露，中国最大闪存芯片制造商长江存储正计划扩展至动态随机存储器芯片（DRAM）制造领域，包括可用于人工智能芯片组的先进版本。这一举措凸显了在美国去年12月扩大出口管制、限制中国获取HBM后，中国加快提升先进芯片制造能力的迫切。两位知情人士表示，长江存储正在开发一种名为硅通孔 (TSV) 的先进芯片封装技术，用于堆叠 DRAM，以便于生产高带宽内存 (HBM) 芯片。知情人士称，长江存储正考虑将其在武汉新建的一座工厂部分产能用于 DRAM 芯片生产。据企查查数据，长江存储本月初新成立了一家公司，负责建设武汉第三家芯片工厂，注册资本207亿元人民币。
—— 路透社
据三位知情人士透露，中国最大闪存芯片制造商长江存储正计划扩展至动态随机存储器芯片（DRAM）制造领域，包括可用于人工智能芯片组的先进版本。这一举措凸显了在美国去年12月扩大出口管制、限制中国获取HBM后，中国加快提升先进芯片制造能力的迫切。两位知情人士表示，长江存储正在开发一种名为硅通孔 (TSV) 的先进芯片封装技术，用于堆叠 DRAM，以便于生产高带宽内存 (HBM) 芯片。知情人士称，长江存储正考虑将其在武汉新建的一座工厂部分产能用于 DRAM 芯片生产。据企查查数据，长江存储本月初新成立了一家公司，负责建设武汉第三家芯片工厂，注册资本207亿元人民币。
—— 路透社