日本企业Rapidus挑战1.4纳米半导体壁垒
力争实现最尖端半导体国产化的日本Rapidus将于2027年度在北海道千岁市开工建设第二座工厂。最早于2029年开始生产全球最尖端的1.4纳米电路线宽半导体。该公司此前一直在暗中推进1.4纳米技术的研发。还与欧美半导体研究机构开展了合作。社长小池淳义此前就1.4纳米技术表示：“如果不在量产2纳米产品之后大约两年半至三年内大力开发新一代技术，就无法在全球竞争中取胜”。要摆脱对政府的依赖并使 1.4 纳米产品开发步入正轨，Rapidus必须完成当前推进的2纳米产品的量产研发。两纳米产品方面，这家日本半导体制造商的目标是2027年度开始量产。
—— 日经新闻
力争实现最尖端半导体国产化的日本Rapidus将于2027年度在北海道千岁市开工建设第二座工厂。最早于2029年开始生产全球最尖端的1.4纳米电路线宽半导体。该公司此前一直在暗中推进1.4纳米技术的研发。还与欧美半导体研究机构开展了合作。社长小池淳义此前就1.4纳米技术表示：“如果不在量产2纳米产品之后大约两年半至三年内大力开发新一代技术，就无法在全球竞争中取胜”。要摆脱对政府的依赖并使 1.4 纳米产品开发步入正轨，Rapidus必须完成当前推进的2纳米产品的量产研发。两纳米产品方面，这家日本半导体制造商的目标是2027年度开始量产。
—— 日经新闻