三星开发新封装技术 内存堆叠数量可翻1.5倍
三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供AI能力。这项移动HBM封装技术名为“多层堆叠FOWLP”，其结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装(FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠(VCS）技术进行了改进。三星电子大幅提高了VCS封装中铜柱的纵横比，从现有的3-5:1 提升至 15-20:1，从而扩展了带宽。然而，当铜柱直径小于10微米时，弯曲或断裂的风险也会增加；为了弥补这一缺陷，三星电子采用了一种结合FOWLP工艺的方法。通过上述方法，HBM可以在相同的空间内放置更多的I/O端子，从而使带宽提升15-30%，并可实现超过1.5倍的内存堆叠数量。
—— 财联社
三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供AI能力。这项移动HBM封装技术名为“多层堆叠FOWLP”，其结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装(FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠(VCS）技术进行了改进。三星电子大幅提高了VCS封装中铜柱的纵横比，从现有的3-5:1 提升至 15-20:1，从而扩展了带宽。然而，当铜柱直径小于10微米时，弯曲或断裂的风险也会增加；为了弥补这一缺陷，三星电子采用了一种结合FOWLP工艺的方法。通过上述方法，HBM可以在相同的空间内放置更多的I/O端子，从而使带宽提升15-30%，并可实现超过1.5倍的内存堆叠数量。
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