SK海力士率先研发第六代10纳米级DRAM
韩国存储巨头SK海力士全球率先研制出第六代10纳米级同步 DRAM。SK 海力士10日表示，公司采用第六代 10 纳米级 DRAM 技术(1c工艺)，成功研制16千兆位(Gb)第六代低功耗双倍数据速率 (LPDDR6) DRAM。SK海力士曾于1月在美国举行的2026年国际消费电子展(CES 2026)上推介该产品，并于近期获得研发认证。公司表示，争取在上半年内完成量产准备工作，并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能 (On-device AI) 技术的智能手机、平板电脑等移动设备产品。与前款LPDDR5X相比，LPDDR6的数据速率提升33%，能耗降低20%以上。
—— 韩联社
韩国存储巨头SK海力士全球率先研制出第六代10纳米级同步 DRAM。SK 海力士10日表示，公司采用第六代 10 纳米级 DRAM 技术(1c工艺)，成功研制16千兆位(Gb)第六代低功耗双倍数据速率 (LPDDR6) DRAM。SK海力士曾于1月在美国举行的2026年国际消费电子展(CES 2026)上推介该产品，并于近期获得研发认证。公司表示，争取在上半年内完成量产准备工作，并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能 (On-device AI) 技术的智能手机、平板电脑等移动设备产品。与前款LPDDR5X相比，LPDDR6的数据速率提升33%，能耗降低20%以上。
—— 韩联社